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随着集成电路更加小型化，目前摩尔定律的延续命运，或许大多探讨在硅晶体管的改进上。不过，渐渐有研究人员开始从别的组成部分著手：例如相连各个晶体管构成简单电路的铜线。

而石墨烯在其中起着着关键作用。为了提升性能，集成电路密度大大提高，而在某种程度面积的芯片当中塞进更加多晶体管，之后意味著必须更加多线路来相连它们。

在2000年生产第一组铜线网络的芯片，每平方公分半月形1公里的铜线；但今日的14nm节点处理器，在某种程度面积里却能包括10公里的铜线。现在就越尖端的芯片，铜线就显得就越细窄，电阻也因而提升，却又得支撑更加多电流以减缓转换速度、提升性能，于是不会产生电迁入（Electromigration）现象。通电铜线的电子不会把动能传送给金属离子，使离子朝电场反方向运动而渐渐迁入，造成铜线的原子蔓延与损失，导致短路。

目前的解决问题方法，是将铜线改置沟槽内，沟槽内壁则外壳了厚达2nm的氮化钽（tantalumnitride），需要制止铜的逸失。但这种方式不算撑到10nm及7nm的节点。

随着制程持续增大，2nm的内壁也将显得过于薄。

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